日本信息通信研究机构和田村制作所等2012年1月5日宣布，开发出了使用氧化镓（Ga2O3）单晶基板的晶体管。与已开始用于功率半导体领域的SiC和GaN相比，有望大幅削减制造成本。研究成果已经以论文的形式刊登在学术杂志“AppliedPhysicsLetter”上。

此次开发的晶体管是一种将具有肖特基结的金属用于栅极电极的“金属半导体场效应晶体管”（Metal-SemiconductorFieldEffectTransistor，MESFET）。其制造方法是，在利用液态生长法制成的β-Ga2O3单晶基板上，采用分子束外延（MolecularBeamEpitaxy，MBE）法形成n型Ga2O3薄膜后制成。截止时的耐压为250V以上，漏电流为数μA/mm左右，电流开关比为104左右。

Ga2O3中的β-Ga2O3的带隙为4.8～4.9eV，大于SiC的3.3eV和GaN的3.4eV，有望实现高出SiC和GaN的高耐压性及低损耗性。因此，可用于需要耐受铁路及输电线等高电压和大电流领域。

另外，由于单晶基板制造无需高温高压等条件，而且原料利用率较高，因此有望以低成本量产单晶基板。