RF Micro Devices, Inc. (RFMD)发表两款高线性氮化镓(GaN) RF 不匹配功率电晶体(UPT) RFHA3942 (35W) 及 RFHA3944 (65W)，提供相较於竞争性GaN 电晶体更卓越的线性效能。
RFHA3942 和RFHA3944 的发表是承继先前推出的 RF393X 系列UPT ，其主要锁定连续波(CW)和脉冲峰值功率应用。全新系列的GaN 分离式放大器针对 back-off 作业或较低杂散性能的宽频应用而最佳化。RFMD 计划在未来12个月内进一步发表10W和95W线性 GaN 元件来提升其技术地位，以大幅扩充 RFMD 提供给客户的氮化镓UPT 产品选项。
RFMD 的高线性 GaN UPT 锁定新型和现有要求更高宽频线性性能的通讯架构，以支援高峰值对平均值调变波形。 RFHA3942 和RFHA3944 在广泛的频率范围(DC至4GHz)内均为可调，并提供分别为35W和65W的CW峰值功率。其同样提供了15dB高增益和>55%的高峰值效率。透过IS95 9.8dB PAR 讯号调整至2.1GHz， RFHA3942 可於34dBm POUT 达到-43dBc的相邻通道功率(ACP)，而 RFHA3944 则可於37dBm POUT 达到-54dBc ACP 。
此外，RFHA3942和RFHA3944 还於封装输入和输出提供高终端阻抗，因此可在单一的放大器中达到宽频增益和功率效能优势。RFHA3942 和 RFHA3944 采用法兰瓷two-lead封装，充分运用了RFMD的先进散热片和电源散热技术，以提供卓越的热稳定性和传导性。
RFMD功率宽频业务部副总裁暨总经理Jeff Shealy表示：「RFMD非常高兴扩大其GaN产品组合，透过业界的线性功率性能，以支援多样化的终端市场。RFMD的氮化镓产品组合清楚地说明了我们在技术和产品领先地位上持续性的承诺，我们期待推出更多具有卓越功率密度、高效率、坚固耐用，以及具备绿能电源优势的GaN 元件。
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