行动晶片大厂高通最新发表CMOS PA（Complementary Metal–Oxide–Semiconductor Power Amplifer互补式金氧半导体功率放大器），挟CMOS材料低成本优势侵蚀PA市场，使得砷化镓族群昨股价盘中大跌逾3%；不过，砷化镓业者认为，高通新产品的功率及效能还不清楚，未来是对砷化镓在PA领域的优势是否会造成影响还有待观察。
稳懋：今年是关键年
高通指出，将在今年下半年推出以CMOS制程生产的PA，支援LTE-FDD、LTE-TDD、WCDMA、EV-DO、CDMA 1x、TD-SCDMA与GSM/EDGE等7种模式，频谱将涵盖全球使用中的逾40个频段，以多频、多模优势宣布进军行动PA产业。
不过，稳懋总经理王郁琦日前针对产业出现变化强调，今年是砷化镓产业关键的1年，主要是通讯市场由3G升至4G，需要更高频宽及速度，「砷化镓晶片在传输速度上高于矽晶片5倍以上，最适合发展。
业者认为，单就砷化镓的物理性质来说，砷化镓的高饱和电子速率及高电子移动率，在高频PA领域的需求是CMOS等矽材料无法跟上的，加上若以电子移动速率分析，砷化镓材料的物理表现是矽材料的5倍，而这项物理性质对于需高频、高功率运作的智慧型手机而言，是相当关键的特质。
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