美国国家可再生能源实验室(NREL)日前证实，Alta Devices一项新型“双结”薄膜太阳能电池技术转换效率达30.8%。
Alta Devices总裁兼首席执行官克里斯·诺里斯(Chris Norris)表示：“Alta Devices自2010年以来一直刷新效率记录。此次新型双结电池转换效率创纪录达30.8%，证明了我们的技术与我们世界一流的团队。这还是我们朝38%的电池效率目标所迈出的重要一步。”
Alta Devices表示，其新型双结技术在第二结中启用磷化铟镓(InGaP)，作为单结电池底座顶部的吸收层。
众所周知，磷化铟镓启用高能光子，较单结砷化镓(GaAs)电池效率更高。Alta Devices表示，其目前正在出货其单结砷化镓技术。
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