欧空局日前授予波兰Ammono公司空间用氮化镓（GaN）衬底的研究合同。GaN是提升空间用电子器件性能的重要材料，其优点之一是对离子辐射效应具有强抵抗能力，离子辐射效应可降低空间中电子器件的性能和缩减运行寿命。
GaN器件可提供更高的功率密度和效率，实现电子有效载荷的小型化，从而减小空间用电子系统的体积和重量。
但同样重要的是，与目前基于砷化镓（GaAs）的空间用电子器件相比，GaN可使这些器件工作于更高的频率和功率，而这对远距离空间通信至关重要。
GaN基电子器件的主要应用领域是射频通信用晶体管和直流-直流功率转换器，潜在应用于GaN太阳能电池，因为其可在平方厘米内产生比现有技术更多的能量。
对于空间应用，材料的质量是至关重要的。Ammono公司表示，该公司的GaN衬底具有现有公开市场上最好的质量和极低的位错密度，该特性有助于提升器件的可靠性，而可靠性对航空应用非常重要。Ammono公司的GaN衬底具有非常适合于提供满足空间应用的高性能，也是设计全新一代空间用电子器件的第一步。
Ammono公司是波兰的半导体公司，成立于1999年，已基于独家专利技术开发出了独特的氨热氮化镓制造方法。现在的Ammono公司是低位错氮化镓衬底制造领域的创新者，其产品出口世界各地。GaN衬底的主要应用有高功率氮化镓晶体管，激光器和发光二级管。
欧空局（ESA）主要负责欧洲空间研究，是一个政府组织，成立于1975年，使命是建立欧洲的空间能力，并确保在空间的投资能够使欧洲和世界受益。
(关键字：镓 氮化镓衬底 Ammono)