碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。
近日，浙大杭州科创中心先进半导体研究院首炉碳化硅单晶成功“出炉”，这是研究院的半导体材料研究室在科创中心首席科学家杨德仁院士指导下取得的阶段性成果，这标志着经过前期紧锣密鼓的准备，科创中心在宽禁带半导体材料研究方面已经正式进入快车道。
碳化硅单晶是一种宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大、饱和漂移速度高、临界击穿场强大、热导率高等诸多特点，是半导体业内公认的“未来材料”，无论是在军用领域还是在民用市场，都是世界各国争夺的战略阵地。
不仅半导体材料研究室已有了喜人成果，功率芯片研究室也在积极开展新型碳化硅功率器件和氮化镓功率器件的研发工作;同时，针对碳化硅器件封装与应用的研究工作也正在逐步开展。
目前，先进半导体研究院正着力于布局宽禁带半导体材料和器件的基础研究和产业化应用，力争取得重大突破。
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